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化学镀铜通常被称为铜沉积。印刷电路板的孔金属化技术是印刷电路板制造技术的关键之一。严格控制孔的金属化质量是保证最终产品质量的前提,而控制铜沉积层的质量是关键。日常测试控制方法如下:
1.化学铜沉积速率的测定;
化学镀铜对铜沉积速率有一定的技术要求。如果速度太慢,可能会在孔壁上造成孔洞或针孔;但如果铜沉积速度过快,镀层会比较粗糙。因此,科学确定铜沉积速率是控制铜沉积质量的手段之一。以Schering提供的化学镀薄铜为例,简要介绍铜沉积速率方法的测定:
(1)材料:采用蚀铜后的环氧基板,尺寸为100100(mm)。
(2)测定步骤:a .将试样在120-140烘烤1小时,然后用分析天平称量W1(g);b .在350-370克/升铬酐和208-228毫升/升硫酸(温度65)的混合溶液中腐蚀10分钟,用清水洗涤;C .将脱铬废液(温度30-40)处理3-5分钟,清洗;d、根据工艺条件进行预浸渍、活化和还原处理;e .将铜浸入浸铜液(温度25)中半小时,清洗干净;F .将样品在120-140烘烤1小时至恒重,称重W2(g)。
(3)铜沉积速率的计算:速率=(W2-W1) 104/8.93 10 10 0.5 2(微米)
(4)比较判断:将测量结果与工艺数据提供的数据进行比较判断。
2.蚀刻液蚀刻利率测量方法
在通孔电镀之前,对铜箔进行微蚀刻处理以使微层变粗,从而增加与铜沉积层的结合力。为了确保蚀刻液的稳定性和铜箔蚀刻的均匀性,有必要测量蚀刻率,以确保其在工艺规定的范围内。
(1)材料:0.3mm覆铜板,脱脂,刷涂,切成100100(mm);
(2)测定程序:a .将试样在30的过氧化氢(80-100克/升)和硫酸(160-210克/升)中腐蚀2分钟,然后用去离子水清洗;b . 120-140烘烤1小时,恒重后称W2(g),此条件下试样腐蚀前称W1(g)。
(3)蚀刻速率计算速率=(W1-W2) 104/2 8.933 t(微米/min)
其中:s-试样area(cm2)t-蚀刻time(min)
(4)判断:腐蚀速率1-2m/min为宜。(蚀铜270-540毫克,1.5-5分钟)。
3.玻璃布测试方法
在孔金属化过程中,活化和铜沉积是化学镀的关键过程。离子钯和还原溶液的定性和定量分析虽然能反映活化和还原性能,但可靠性不如玻璃布试验。玻璃布上沉积铜的条件最苛刻,最能体现活化、还原和铜沉积溶液的性质。简介如下:
(1)材料:将玻璃布在10%氢氧化钠溶液中退浆。并切成5050(mm),四周结束时取出部分玻璃丝,以分散玻璃丝。
(2)测试步骤:a .按照铜沉积工艺处理试样;b、将玻璃布放入铜浸液中,玻璃布的末端应在10秒后完全浸入铜中,呈黑色或深棕色,2分钟后完全浸入,3分钟后加深;对于重铜,10秒后,玻璃布的末端必须完全浸在铜中,30-40秒后,铜应全部沉积;c .判断:如果达到上述铜沉积效果,则活化、还原、铜沉积性能良好,反之较差。
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