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X-FAB基于180nm的工艺技术推出高灵敏度SPAD和APD器件

2020-12-10 09:11:08
全球领先的模拟/混合信号代工厂厂厂X-Fab硅代工厂继续开发突破性技术解决方案来解决具有挑战性的设计,现在宣布推出雪崩光电二极管(APD)和单光子雪崩二极管(SPAD)器件,以满足弱光源条件下所需的灵敏度和严格的时间分辨率。
基于流行的180纳米高压XH018工艺,这些功能块提供了高性能参数和直接集成的结合。APD具有良好的线性增益特性,可以从仅仅10微米完全扩展到几百微米。使用X-Fab专有淬火电路,SPAD的死区时间小于15ns,因此它可以支持高带宽设计。此外,其较低的暗计数率(: 100计数/s/m2)意味着其对热噪声的敏感度要低得多。SPAD的高光子探测率(PDP)保证了更高比例的入射光子触发雪崩,并且这个高比例可以在很宽的波长范围内保持(例如400nm时为40%)。
X-FAB  APD和SPAD可用于广泛的应用,包括短程传感、激光雷达、飞行时间(ToF)、医学成像(CT和PET)和科学研究。由于它们符合AEC-Q100标准,因此也适用于汽车系统。此外,实现的低击穿电压(20V)有助于将它们集成到客户芯片中。作为X-Fab设计套件的组件是完全个性化的,可以很容易地与XH018流程中的其他模块相结合。光电仿真模型和具体应用指南可以帮助设计人员在短时间内将这些器件集成到电路中。除了以功能块格式提供之外,还可以提供与SPAD一起工作的猝灭参考电路。

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