随着人工智能(AI)和机器学习工作负载的计算需求不断增加,传统的并行连接DRAM内存由于需要更多的内存通道来提供更多的内存带宽,已经成为下一代CPU的主要障碍。微芯片技术公司(美国微芯科技有限公司)今天宣布进入内存基础设施市场,推出业界首款商用串行内存控制器,并扩大其数据中心产品产品组合。SMC 1000 8 x 25G使CPU和其他以计算为中心的SOC能够在相同的封装尺寸下使用与DDR4动态随机存取存储器并联的四个内存通道。微芯片的串行内存控制器不仅可以为计算密集型平台提供更高的内存带宽和媒体独立性,还具有超低延迟的特点。
随着CPU处理核心数量的增加,CPU和SoC设备无法在单个芯片上扩展并行DDR接口的数量来满足核心数量不断增加的需求,导致每个处理核心可用的平均内存带宽减少。SMC 1000 8 x 25G通过符合8位开放内存接口(OMI)的25 Gbps通道与CPU连接,并通过72位DDR4 3200接口与内存连接,从而大大减少了每个DDR4内存通道所需的主机CPU或SoC引脚数量,允许更多内存通道,增加了可用内存带宽。
支持OMI的中央处理器或片上系统可以使用大量不同成本、功耗和性能指标的媒体类型,而无需为每种类型集成单独的内存控制器。相比之下,CPU和SoC内存之间的当前接口通常以特定的接口速率锁定在特定的DDR接口协议中,如DDR4。SMC 1000 8 x 25G是微芯片产品系列中第一个支持媒体独立OMI接口的内存基础架构产品。
数据中心应用程序工作负载需要基于OMI的DDIMM内存产品,以提供与当今基于并行DDR的内存产品相同的高性能带宽和低延迟效果。微芯片的SMC 1000 8 x 25G采用创新的低延迟设计。与传统的基于LRDIMM的集成DDR控制器相比,其延迟增量小于4 ns,这表明基于OMI 产品的DDIMM的带宽和延迟性能与类似的DDIMM 产品几乎相同。
微芯片数据中心解决方案业务部副总裁皮特海森(Pete Hazen)表示:“微芯片很高兴向市场推出业界首款串行内存控制器产品。新的内存接口技术,如开放内存接口(OMI),使大量的片上系统应用程序能够支持高性能数据中心应用程序不断增长的存储需求。微芯片进入存储基础设施市场凸显了我们提高数据中心性能和效率的决心。”
IBM POWER Systems首席架构师史蒂夫菲尔德(Steve Fields)表示:“IBM客户的工作负载大幅增加了存储需求。因此,我们对power processor内存接口做出了战略决策,并决定使用OMI标准接口来增加内存带宽。IBM很高兴与微芯片合作推出这一解决方案。”
智能模块、美光和三星电子公司正在开发一系列引脚高效的84引脚差分双列直插式存储器模块(DDIMM),容量从16 GB到256 GB不等,符合JEDEC DDR5草案标准的DDIMM封装。这些DDIMM将采用SMC 1000 8 x 25G,并将无缝连接到符合OMI标准的任何25 Gbps接口。
OpenCAPI联盟总裁米隆斯洛塔说:“开放内存接口(OMI)标准提供了一个具有高引脚效率的串行内存接口,因此大量CPU和SoC应用可以扩展内存带宽,并在越来越多的新兴媒体类型(如内存分层内存)之间无缝切换。OpenCAPI联盟免费提供主机和目标IP,并将同时推出一系列措施,确保符合标准。”
谷歌公司(Google LLC)平台基础设施技术主管罗布斯普劳特(Rob Spust)表示:“谷歌客户可以从数据密集型应用中受益,如需要高性能内存的机器学习和数据分析。谷歌强烈支持基于开放标准的倡议,如开放内存接口(OMI),它可以提供高性能内存接口,以满足带宽和延迟等重要性能目标。”