Vishay推出的新款60 V MOSFET是业内首款适用于标准栅极驱动电路

2020-12-02 10:05:58

最近，Vishay Intertechnology，Inc .宣布推出新的60 V挖沟机第四代N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管SiSS22DN，这是业界第一款适用于标准栅极驱动电路的器件。10伏时的最大导通电阻降至4毫瓦，采用热增强型3.3毫米x 3.3毫米PowerPAK 1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑的效率和功率密度。栅极电荷只有22.5毫微秒，而且它的输出电荷很低。

与逻辑电平为60 V的器件不同，SiSS22DN提高了典型的VGS(th)和米勒(th)平台电压，适用于栅极驱动电压高于6 v的电路。器件的最佳动态特性缩短了死区时间，防止了同步整流应用中的击穿。SiSS22DN在业界的低导通电阻比排名第二的产品低4.8%——堪比领先的逻辑电平器件——QOSS为34.2 nC，QOSS和导通电阻的乘积，即在零电压开关(ZVS)或开关设备拓扑的功率转换设计中，MOSFET的重要品质系数(FOM)达到最佳水平。为了实现更高的功率密度，与6 mm x 5 mm封装的类似解决方案相比，该器件节省了65%的印刷电路板空间。

SiSS22DN的技术指标有所提高，调整后导通和开关损耗降至最低，使多个电源管理系统组件能够实现更高的效率，包括交流/DC和DC/DC拓扑的同步整流、DC/DC变换器的主侧开关、器半桥MOSFET功率级的降压升压转换、通信和服务器电源或功能、电动工具和工业设备的电机驱动控制和电路保护、电池保护和电池管理模块的充电。