东芝面向中大电流IGBT／MOSFET 推出内置保护功能的光耦

2020-11-12 09:11:33

东芝电子元器件及存储器件有限公司(东芝)今天宣布推出“TLP5231”，这是一款适用于中大，电流绝缘栅双极晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这种新的预驱动光耦合器具有许多内置功能[1]，包括通过监控集电极电压进行过流检测。产品从今天开始出货。

新的预驱动光耦合器使用外部P沟道和N沟道互补金属氧化物半导体场效应晶体管作为缓冲器来控制中大电流IGBT和金属氧化物半导体场效应晶体管。

目前，产品[2]需要一个由双极晶体管组成的缓冲电路来实现电流放大，在工作中会消耗基极电流。新的产品可以使用外部互补金属氧化物半导体场效应晶体管缓冲器，只有在缓冲金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极充放电时才会消耗电流，这有助于降低功耗。

通过改变外部互补金属氧化物半导体场效应晶体管缓冲器的大小，TLP5231可以为各种IGBT和金属氧化物半导体场效应晶体管提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器和IGBT/MOSFET的配置可以作为一个平台来满足系统的功耗要求，从而简化了设计。

其他功能包括：检测到VCE(sat)过流后，使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极soft off time”；此外，除了可以通过监控集电极电压来检测VCE(sat)之外，还可以通过UVLO[3]检测向初级侧输出任何故障信号。这些现有产品[2]所不具备的新特性可以使TLP5231帮助用户更容易地设计栅极驱动电路。