分立器件、MOSFET器件以及模拟和逻辑器件的生产专家今天宣布推出PESD2V8R1BSF,这是业界首款专门针对USB4TM标准开发的静电放电保护器件,具有行业领先的射频性能。新器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术和有源可控硅(SCR)技术,USB4TM和Thunderbolt的接口设计工程师会特别感兴趣。该器件可以实现非常低的电容(低至0.1 pf);非常低的箝位电压动态电阻低至0.1?)和非常强大的抗浪涌和静电放电性能(最高20A 8/20 s)。PESD2V8R1BSF采用超低电感SOD962封装。
Nexperia 产品经理Stefan Seider 评论说:“为了避免信号完整性问题,PESD2V8R1BSF ESD保护二极管提供极低的插入损耗和相应的低回波损耗,在10 GHz时分别为-0.21 dB和-17.4 dB。静电放电保护装置可以满足USB 3.2更高的电压要求。这意味着设备可以放在USB Type-C?在连接器后面,它用于保护耦合电容,同时仍然向后兼容USB3.2。”
TrEOS保护二极管封装在非常紧凑和可靠的DSN0603-2 (SOD962)中。这种广泛使用的0603尺寸可以带来许多优点,包括极低的电感、快速保护和集成到无焊线的单片电路中,从而降低机械应力和热应力