创新工艺可以消除SiC衬底中的缺陷

2021-03-11 17:54:44

3月1日，关西大学和丰田通商大学宣布开发了“动态老化”技术，这是一种表面纳米控制工艺技术，可以消除碳化硅衬底上恶化半导体性能的缺陷。

虽然碳化硅有望用作下一代功率半导体，但众所周知，在晶片加工阶段和晶体生长阶段会发生晶体畸变。其中，众所周知，BPD将降低器件的性能，并且很难降低器件的价格，因为制造高质量晶片的高成本抑制了这种现象。

动态老化是一种通过结合热退火、晶体生长和热蚀刻技术将BPD缺陷转化为不影响器件性能的其他缺陷的技术。同一所大学科学与工程学院的TadaakiKaneko教授说：“虽然有其他技术可以“解毒”高质量碳化硅晶片中的缺陷，但动态退火可以应用于缺陷多、质量差的晶片。”，这说明了这项技术的优势。

具体来说，通过使用独特的设备来适当地选择和执行三个处理过程，可以自动地排列晶片表面上的原子排列，可以去除处理应变层，并且可以通过ted传输BPD。可以消除对设备的影响。

图：使用动态老化的BPD解毒验证示例。通过将该技术应用于商业上可获得的碳化硅晶片，可以确认衬底上的BPD数为1或更少(来源：关西大学的介绍材料)

在这次联合研究中，从单个零件的尺寸到150 mm (6英寸)的晶圆，这是SiC在两年研发中的主流。不管衬底的尺寸有多大，在某些情况下，不管晶圆厂商是什么，都说BPD可以免费使用。

丰田贸易有限公司计划将其商业化，但目前正处于招募对该技术感兴趣的公司作为商业伙伴的阶段。此外，作为一项研究，预计在未来几年内将实际使用200mmSiC晶圆，因此我们计划继续开发并将其应用于这项技术。

最新发布

全球服务热线 13824363925

工作时间：am 9:00 - pm 21:00

客服邮箱：gaodupcb@163.com

在线客服：+qq 2628473426

微信公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：