CISSOID在纽伦堡PCIM 2019展会上展出新款高温栅极驱动器、碳化

CISSOID推出了一种新的栅极驱动器板，该板针对额定温度为125C(环境温度)的62毫米碳化硅MOSFET功率模块进行了优化。该板基于CISSOID的HADES栅极驱动芯片组，还可以驱动IGBT功率模块，同时可以为汽车和工业应用中高密度功率转换器的设计提供散热空间。支持高频(100KHz)和快速碳化硅MOSFET开关(dV/dt  50KV/s)，可以提高功率变换器的效率，减小尺寸和重量。该板专为恶劣电压环境设计，支持1200V和1700V电源模块驱动。隔离电压高达3600V(经过50Hz和1分钟耐压测试)，爬电距离为14 mm，欠压闭锁(UVLO)、有源米勒箝位(AMC)和去饱和检测等保护功能可以保证电源模块在故障情况下安全驱动和可靠保护。“这种新的碳化硅栅极驱动板是多年来与汽车、运输和航空航天市场行业领导者合作开发的成果。它结合了CISSOID在碳化硅器件方面的专业知识和设计适应恶劣环境的芯片和电子系统的长期经验。”CISSOID工程副总裁Etienne  Vanzieleghem说。

在纽伦堡，中芯国际还展示了最新的碳化硅场效应晶体管器件和IGBT功率模块。一种新型的分立1200伏/40欧姆碳化硅场效应晶体管已经上市，它被封装在TO-247中，可以在-55到175的温度范围内正常工作.场效应晶体管在25C(结温)时的漏极至源极电阻为40欧姆，在175C(结温)时的导通电阻为75欧姆。低开关导通和关断能量(分别为1mJ和0.4mJ)使该器件成为高效紧凑的DC-DC转换器、功率逆变器和电池充电器的理想选择。CISSOID还展示了两个62毫米1200伏IGBT功率模块，额定电流分别为200安和300安。

CISSOID也在致力于碳化硅MOSFET功率模块的开发，将在未来几个月推出。“这些新的产品表明，中电投致力于提供基于碳化硅的全面解决方案，包括晶体管、模块和栅极驱动器，以支持行业在新电动汽车和可再生能源应用中使用高效、轻质和紧凑的功率转换产品，”中电投首席执行官戴夫赫顿(Dave  Hutton)表示。“我们正与汽车制造商和汽车零部件供应商密切合作，为新能源汽车应用新型碳化硅功率逆变器定制栅极驱动器。”他补充道。