富士通电子将自9月推出业内最高密度8Mbit ReRAM产品

2020-12-03 09:34:05

富士通电子元件(上海)有限公司今天宣布，推出业界密度最高的8兆位ReRAM(注1)-“MB 85 as 8mt”。ReRAM量产产品由富士通和松下半导体解决方案有限公司共同开发(注2)，将于今年9月供货。MB85AS8MT是一款带SPI接口、兼容EEPROM的非易失性存储器，可在1.6 ~ 3.6伏的宽电压范围内工作。它的一个特点是极低的平均电流，在5MHz工作频率下读取数据只需要0.15毫安，使需要电池供电且经常读取数据的设备达到最低功耗。MB85AS8MT采用非常小的晶圆级封装(WL-CSP)，因此非常适合需要电池电源的小型可穿戴设备，包括助听器、智能手表和智能手环。

MB85AS8MT的三大特点及相关应用

富士通电子提供各种铁电随机存取存储器(FRAM)(注3) 产品，可以提供比EEPROM和闪存更高的写入电阻时间和更快的写入速度。富士通电子的FRAM 产品以其最好的非易失性存储器而闻名，尤其是需要经常记录和保护写入的数据，以避免因突然断电而导致的数据丢失。然而，与此同时，一些客户需要更低的电流来读取内存，因为他们的应用程序只需要少量的写入，但他们读取数据非常频繁。

为了满足这一需求，富士通电子专门开发了一种新型非易失性随机存储器“MB85AS8MT”，它具有“高密度位存取”和“低读取电流”的特点。它是世界上密度最高的8Mbit ReRAM量产产品，采用SPI接口，支持1.6到3.6伏的大范围电压，包括指令和时序在内的电气规格与EEPROM 产品兼容。

“MB85AS8MT”最大的特点是，即使拥有超高的密度，仍然可以实现极小的平均读取电流。例如，在5兆赫兹的工作频率下，平均读取电流为0.15毫安，仅为高密度EEPROM器件所需电流的5%。

因此，在需要由电池供电的产品中，以及在需要频繁读取数据的应用中，例如特定程序读取或设置数据读取，通过该存储器的超低读取电流特性，产品可以大大降低电池的功耗。

在5兆赫兹的工作频率下，MB85AS8MT的平均读取电流仅为高密度EEPROM器件的5%

除了提供EEPROM兼容的8引脚小外形封装(SOP)外，还可以提供2mm x 3mm超小型11引脚WL-CSP，适合安装在小型可穿戴设备中。

MB85AS8MT还可以提供2毫米x 3毫米的超小型11引脚WL-CSP

高密度内存、低功耗的MB85AS8MT采用极小的封装规格，是助听器、智能手表、智能手环等需要电池供电的小型可穿戴设备最适合的内存。