Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET

2020-11-20 09:20:40

日前，Vishay Intertechnology，Inc .宣布推出一款小型热增强型PowerPAK？1212-8SCD封装新的公共漏极双n 沟道60v金属氧化物半导体场效应晶体管。Vishay Siliconix SiSF20DN是业界最低的RS-S(ON) 60 V共漏器件，专门用于提高电池管理系统、直列式和无线充电器、DC/DC转换器和电源的功率密度和效率。

最近发布的双MOSFET RS-S(ON)典型值在10V时低至10 mW，是3mm x 3mm封装中导通电阻最低的60 V器件，比该封装尺寸中排名第二的产品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。

从而降低功率通道压降，降低功耗，提高效率。为了提高功率密度，SiSF20DN的RS1S2(ON)面积积比排名第二的替代MOSFET低46.6%，甚至包括更大的6mm5mm封装解决方案。

为了节省PCB空间，减少元器件数量，简化设计，器件采用优化的封装结构，两个单片集成的挖沟机？第四代n-沟道MOSFET采用共漏极配置。SiSF20DN的源极触点并排布置，与传统的双封装器件相比，增加了印刷电路板的接触面积，进一步降低了电阻率。这种设计使金属氧化物半导体场效应晶体管适用于24伏系统和工业应用的双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安全/监控和烟雾报警器。