性价比一流：英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOS S7超结M

2020-11-12 10:22:24

英飞凌科技有限公司已成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。新推出的600伏冷却金属氧化物半导体S7系列产品可为金属氧化物半导体场效应晶体管低频开关应用带来领先的功率密度和能效。CoolMOS S7系列产品的主要特点包括优化导通性能、提高热阻、高脉冲电流能力和最高质量标准。该装置的合适应用包括源桥整流器、逆变器、可编程控制器、功率固态继电器和固态断路器。另外，10 m？酷MOS S7 MOSFET是业界RDS(开)最低的器件。

产品系列专为低频开关应用而开发，旨在降低其传导损耗，确保最快的响应速度和最高的效率。即使是酷派S7器件，其RDS(on) x A也比酷派7 产品低，因此可以成功抵消开关损耗，最终实现导通电阻降低和本节省效应。对于高压开关，CoolMOS S7 产品的导通电阻(RDS(on))是市场上最低的。此外，10m芯片采用创新的TOp冷却QDPAK封装，22m芯片采用先进的小型至无引脚(TOLL)SMD封装。这些场效应晶体管有助于实现经济、简化、紧凑、模块化和高效的设计。设计的系统可以轻松满足法规要求和能效认证标准(如SMPS钛？标准)，还可以满足电源预算，减少零件数量和散热器要求，同时降低总拥有成本(TCO)。