CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅MOSFET智能功率模块

这一全新的可扩展平台同时优化了电源开关的电气、机械和热设计以及关键控制。对于愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁的电机驱动的电动汽车(EV)原始设备制造商和电机制造商来说，该平台可以帮助他们加快产品上市时间。

可扩展平台的第一款产品是一款三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模块，具有低导通损耗特性、3.25 毫欧(mohm)的导通电阻和低开关损耗特性，600 v/300 a时的通断能量分别为8.3mJ和11.2mJ，与最先进的IGBT功率模块相比，损耗降低了至少三倍。新模块由轻质铝碳化硅(AlSiC)针翅底板水冷，对流体的热阻为0.15/瓦.智能电源模块可以承受高达3600伏的隔离电压(经过50Hz，1分钟的耐压测试)。

内置栅极驱动器包括三个板载隔离电源(每相一个)，每相可提供高达5W的功率，因此它可以在高达125C的环境温度下轻松驱动频率高达25KHz的电源模块.高达10A的峰值栅极电流和对高dV/dt(50KV/s)的抗扰度可以实现功率模块的快速开关和低开关损耗。它还具有欠压闭锁(UVLO)、主动米勒箝位(AMC)、去饱和检测和软关断(SSD)等保护功能，以确保电源模块能够安全驱动，并在出现故障时提供可靠保护。

“开发和优化快速开关碳化硅功率模块并可靠地驱动它们仍然是一项挑战，”CISSOID的首席执行官戴夫赫顿说。“这款新型碳化硅智能电源模块是电源模块和栅极驱动器多年发展的成果，这归功于我们与汽车和交通领域的领导者的密切合作。我们很高兴向早期碳化硅器件采用者提供第一批智能电源模块样品，以支持汽车行业向高效电动汽车解决方案的过渡。"