Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装

2020-11-10 09:41:14

半导体基础元器件生产领域的高生产力生产专家Nexperia，公布了首款P沟道MOSFET 产品系列，采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装。新设备符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。它可以作为DPAK金属氧化物半导体场效应晶体管产品的理想替代品，在保证性能的基础上，将封装面积减少了50%以上。新系列产品的电压范围为30伏至60伏，导通电阻RDS(on)低至10兆欧(30伏)。

LFPAK封装采用铜夹结构，最早由Nexperia应用，近20年来一直用于汽车等要求苛刻的应用。事实证明，该封装的可靠性远高于AEC标准要求，超过关键可靠性测试指标2倍。同时，独特的封装结构也提高了板级可靠性。过去，LFPAK中只封装n通道器件。目前，由于工业需求，Nexperia已经将LFPAK56 产品系列扩展到包括p通道器件。

Nexperia 产品经理Malte strike评论说：“新型P沟道MOSFET面临极性反接保护；作为高端开关，它用于各种汽车应用，如座椅调节、天窗和车窗控制。它们也适用于5G基站等工业应用场景。”