Nexperia的整流器兼具一流的高效率、热稳定性

2020-11-09 15:34:07

半导体基础元器件高产生产专家Nexperia推出了一系列反向电压分别为120 V、150 V、200 V的新型SiGe整流器，兼具肖特基整流器的高效率和快恢复二极管的热稳定性。

新的1-3 A硅锗整流器面向汽车、通信基础设施和服务器市场，特别适合高温应用，如发光二极管照明、发动机控制单元或燃油喷射。这些新推出的极低泄漏器件提供了一个扩展的安全工作区域，在不超过175的温度下不会出现热失控。同时，工程师可以使用适合高温设计的快速恢复二极管来优化设计，以提高效率。SiGe整流器提高了低直流电压(Vf)和低Qrr，降低了10-20%的传导损耗。

PMEG SiGe器件(PMEGXXELR/P)采用CFP3和CFP5封装，根据功率二极管行业标准，节省空间，热效率高。封装采用实心铜夹，降低热阻，优化向周围环境传热，使PCB更小更紧凑。此外，使用硅锗技术，可以很容易地实现肖特基和快速恢复二极管的引脚到引脚替换。

Nexperia 产品经理杨菲舍尔评论说：“利用Nexperia创新的硅锗技术，工程师们有更多的选择来设计功率电路，最终打造出市场领先的产品，这是前所未有的。SiGe是Nexperia功率二极管产品的完美补充，该二极管采用夹焊扁平功率(CFP)封装，包括100多个肖特基整流器和快速恢复整流器。此外，我们将继续扩大产品产品组合，并始终为客户提供满足其应用的产品。”