华虹半导体最新推出90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台

2020-11-04 09:43:54

全球领先的特殊工艺纯晶圆代工企业—— 华虹半导体有限公司今天宣布，新推出90纳米超低泄漏(ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台，满足大容量微控制器(MCU)需求。作为华虹半导体0.11微米超低泄漏技术的延续，该工艺平台为客户提供具有竞争力的差异化解决方案，功耗和成本更低，适用于物联网、可穿戴设备、工业和汽车电子等应用。

新推出的90 nm超低漏嵌入式flash技术平台1.5V内核N型和P型MOS晶体管漏电流达到0.2pA/微米，可有效延长单片机器件待机时间。该平台的嵌入式非易失性存储器(eNVM) IP具有10万到50万次擦写的独特优势，读取速度达到30ns。同时逻辑单元库集成度高，达到400K门/mm2以上，可以在很多方面帮助客户减少芯片面积。

这种工艺平台最大的优点是集成了公司自己的专利分栅NORD嵌入式闪存技术，在90 nm工艺下具有业界最小的单元尺寸和面积的最小嵌入式NOR闪存IP，并且具有掩膜层较少的优势，帮助客户进一步降低MCU的制造成本，尤其是大容量MCU 产品。平台同时支持射频(RF)、eFlash和EEPROM。

华虹半导体公司执行副总裁孔蔚然，博士说：“公司致力于创新和不断优化差异化技术，为客户提供急需的、经济高效的工艺和技术服务。在完善8英寸平台的同时，我们将加快12英寸生产线的产能扩张和技术研发。物联网和汽车电子是单片机应用的增量市场。90纳米超低泄漏嵌入式闪存技术平台的推出，进一步拓展了华虹半导体单片机客户群在超低功耗市场应用领域的代工厂选择空间。”