电子发烧友网报道(文/李宁远)IGBT作为新型功率半导体器件的主流器件，已广泛应用于工业、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等行业。在新能源、新能源汽车等新兴领域也得到了广泛应用。
IGBT具有输入阻抗高、驱动电路简单、开关损耗低的优点，在MOSFET和BJT的基础上有效降低了N漂移区的电阻率，大大提高了器件的电流能力。目前，IGBT已经能够覆盖600伏到6500伏的电压范围。
中国拥有最大的功率半导体市场。目前，IGBT等高端器件的研发远远落后于国际大公司。IGBT技术的高度集成导致市场高度集中。与国内厂商相比，英飞凌、三菱和富士电气等国际厂商目前具有绝对的市场优势。本期，我们从国外主流厂商的系列产品出发，来看看目前处于行业头部的IGBT产品。
英飞凌IGBT模块
英飞凌在3300V以上电压等级的高压IGBT技术领域处于领先地位，在大功率沟槽技术方面也处于国际领先水平。在前进和阻挡状态下，英飞凌IGBT的功率损耗极低，只需要低驱动功率就能发挥高效率。IGBT可承受高达6.5千伏的电压，其工作频率范围为2千赫至50千赫。英飞凌IGBT凭借广泛的技术组合优势，拥有出色的载流能力、更高的脉冲负载能力和极低的功耗。
混合包装系列模块。
IGBT的应用电压主要在600V到1200V之间，英飞凌在这个区间有很大的优势。HybridPACK系列扩展了混合动力汽车和电动汽车的IGBT模块的功率范围，涵盖200 A至900 A和400 V至1200 V(芯片额定值)的功率范围。
混合动力驱动的功率范围为100-175千瓦，并针对混合动力和电动汽车的牵引应用进行了优化。这是一个非常紧凑的电源模块。
电源模块采用新一代EDT2 IGBT芯片，为汽车微图案凹槽式场停单元设计，可在电动车实际行驶循环中提供最高效率。芯片组具有参考电流密度、短路容限和较高的阻断电压，在恶劣环境条件下仍能可靠运行逆变器。
混合动力汽车DSC也是汽车的IGBT模块。在Drive的基础上，DSC的扩展性更强，效率提高了25%左右。
模块采用双面散热技术和IGBT半桥配置，模块两侧两块铜板用于双面散热(DSC)，实现高功率密度。片内温度和电流传感器(过流保护)在安全性和性能之间提供了良好的保证。
TRENCHSTOP系列模块。
TRENCHSTOP系列模块专为变频工业驱动而设计，基于新型微槽栅技术，可控性更高。90v/1200v沟槽截止IGBT 7二极管技术基于最新的微沟槽技术。该技术平台的特点是实现了亚微米级平台分隔的平行沟槽单元，而之前使用的是方形沟槽单元，器件损耗大大降低。
另一个突出的性能指标是更高的功率密度和更高的开关柔软度，因为该芯片专门针对工业电机驱动应用和太阳能逆变器应用进行了优化。此外，功率密度的增加也是由于该系列功率模块在过载情况下的最高允许工作温度提高到175，功耗不超过4kW。
三菱IGBT模块
三菱IGBT模块有一项值得称赞的技术，即CSTBT。在三菱IGBT芯片结构从平面栅结构到沟槽栅结构的发展过程中，采用IGBT利用载流子存储效应开发的CSTBT结构，满足了工业设备低损耗、小型化的要求。
行业资讯 
2021-10-30 15:31:55
微信公众号
粤公网安备 44030702002479号
