TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动

这些提供集成感测功能的器件由TI发起，适用于绝缘栅双极晶体管(IGBT)和碳化硅(碳化硅)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，大大简化了设计，实现了更高的应用系统可靠性，最高工作电压为1.5千伏，通过集成元件，它们可以快速检测，提供有效的过流事件保护，并确保系统安全关闭。

UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750采用电容隔离技术构建长寿命隔离栅，提供高增强隔离电压、快速数据传输和高密度封装。

“系统鲁棒性日益成为高压电机驱动和功率输出应用的主要挑战，”德州仪器高压电源部门副总裁史蒂夫兰布斯(Steve  Lambouses)表示。“这些新的栅极驱动器使用了TI的先进隔离技术，并结合了其他功能和支持，使工程师能够更快地进入可靠系统的生产阶段，并将系统体积和成本降低到更低的水平。”

增强系统性能：新型隔离栅驱动器的峰值驱动强度为10 A，使得开关行为具有最大极限，不仅降低了成本，还可以通过200 ns过流保护快速启动系统保护。

增强系统级可靠性：UCC217xx系列通过电容隔离技术、业界领先的增强隔离电压和高达12.8千伏的浪涌抗扰度，延长了隔离栅的使用寿命。此外，这些设备确保以超过150伏/秒的速度与CMTI进行精确的数据通信。

减小系统尺寸：这些栅极驱动器通过集成缓冲器和传感器，消除了使用外部元件的需要，并且可以通过隔离模拟信号到PWM(脉宽调制)信号传感器的方式提供精确的温度、电流或电压感测，从而大大简化了系统级诊断的设计，并防止开关故障。

此外，ti还宣布推出与光电元件兼容的栅极驱动器UCC23513，驱动强度为3A，安全隔离电压增强为5KVRMS，面向需要提高抗干扰度、扩大工作温度范围的工业应用设计师。这种新型栅极驱动器旨在大大提高电机驱动、太阳能逆变器和电源设备的系统性能和可靠性。它提供-40至150的宽结温范围和超过100伏/纳秒的CMTI，使设计人员能够达到传统光耦合器无法达到的性能水平。凭借UCC23513与光隔离栅极驱动器之间的引脚间兼容性，以及现成的设计资源，包括200-480 VAC驱动的基于光电模拟输入栅极驱动器的三相逆变器参考设计，设计人员可以大大缩短上市时间。