三星宣布已开发首款10纳米第三代超高性能和高功效DRAM

2020-12-25 09:10:00

据三星电子官网消息，作为全球先进存储技术的领导者，三星电子今天(21日)宣布推出第三代10纳米(1z-nm)8GB超高性能、高效率的DRAM(动态随机存取存储器)。在第二代10nm (1y-nm)8Gb DDR4开始量产后仅16个月，三星就开发出了1z-nm 8Gb DDR4，而没有使用Extreme Ultra-Violet(EUV)处理，这表明三星已经突破了DRAM的扩展极限。

随着10纳米成为业界最小的存储技术节点，三星现在已经准备好满足不断增长的市场需求。与以前的1Y纳米级版本相比，新DDR4动态随机存取存储器的制造生产率提高了20%以上。

10纳米8Gb DDR4将于今年下半年开始大规模生产，以适应预计于2020年推出的下一代企业服务器和高端PC。

“我们致力于突破技术面临的最大挑战，以推动我们实现更大的创新。我们很高兴为下一代动态随机存取存储器的稳定生产奠定基础，确保最大的性能和能效。”三星，电子动态随机存取存储器产品和技术执行副总裁李荣培说。“在我们构建10纳米动态随机存取存储器系列的同时，三星的目标是支持其全球客户部署尖端系统，并促进高端存储器市场的增长。”

三星开发的10纳米动态随机存取存储器为加速全球信息技术向下一代动态随机存取存储器接口(如DDR5、LPDDR5和GDDR6)的过渡铺平了道路，这将为未来的数字创新提供动力。随后的10纳米产品具有更高的容量和性能，将使三星能够提高其业务竞争力，巩固其在高端动态随机存取存储器市场的领先地位，应用包括服务器、图形和移动设备。

在与中央处理器制造商充分验证8 GB DDR4模块后，三星将积极与全球客户合作，提供一系列即将推出的内存解决方案。

根据目前的行业需求，三星计划在其平泽网站上增加主内存生产的比例，并与其全球信息技术客户合作，以满足对最先进的动态随机存取存储器产品日益增长的需求。