意法半导体650V高频IGBT利用最新高速开关技术提升应用性能

2020-12-19 10:07:12

意半导体—— HB2 650V IGBT系列中国，20204月30日采用最新的第三代沟槽栅场截止(TFS)技术，可提高中PFC变换器、焊机、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等高速应用设计的能效和性能该系列还包括符合AEC-Q101 Rev.D的汽车级产品

新HB2系列属于STPOWER 产品系列，较低的(1.55V) VCEsat饱和电压保证了出色的导通性能；较低的栅极电荷使其能够在低栅极电流条件下快速开关，提高动态开关性能；出色的散热性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度，而新系列在市场上极具竞争力产品。

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