UnitedSiC在650V产品系列中新增7个SiC FET

这些新设备可以提供新水平的高压电源性能，适用于快速增长的数据中心服务器电源、5G基站电信整流器、电动汽车充电器等应用。这些新器件将对设计工程师非常有吸引力，他们仍然喜欢使用3引脚、TO220或D2PAK封装选项，但也在努力提高功率因数校正电路、LLC谐振转换器和相移全桥转换器的功率性能。

美国集成电路的UJ3C和UF3C场效应晶体管产品系列在真正的“直接替代”功能方面是独一无二的。通过将现有的硅IGBT、硅场效应晶体管、碳化硅场效应晶体管或硅超结器件替换为集成场效应晶体管，设计者可以在不改变栅极驱动电压的情况下显著提高系统性能。

两个系列的碳化硅场效应晶体管基于UnitedSiC独特的“共源共栅”电路配置，其中常开碳化硅JFET与单金属氧化物半导体场效应晶体管封装在一起，可以构建具有标准栅极驱动特性的常关碳化硅场效应晶体管器件。因此，现有系统在升级为美国集成电路“直接替代”场效应晶体管后，性能将有很大提高，传导和开关损耗更低，热性能增强，集成栅极静电放电保护。如果是新的设计，联合集成电路场效应晶体管可以提供更高的开关频率，这带来了显著的系统优势，可以实现更高的效率，并且可以减小磁性元件和电容器等无源元件的尺寸和成本。

行业标准三引脚TO220-3L封装可以通过美国集成电路公司的烧结银封装技术提供增强的热特性。新封装产品包括RDS(开)值为30和80的UJ3C器件，以及RDS(开)规格为40的UF3C器件。

三引线行业标准D2PAK-3L封装是为表面安装而设计的，并已通过了IPC和JEDEC的湿度灵敏度1级认证。新封装产品包括RDS(on)规格为30和80的UJ3C器件，以及RDS(on)规格为30和40的UF3C器件。