埃赋隆宣布面向ISM应用推出业界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶体管

2020-12-18 10:49:11

埃赋隆半导体(Ampleon)现在宣布，它已在其成熟的第9代高压LDMOS工艺技术的基础上衍生出先进加固技术(ART)，并开发了新系列射频功率器件产品的第一个。这种新工艺的开发旨在实现工作电压高达65V的极其鲁棒的晶体管。

第一个采用这种技术的产品ART2K0FE是一个2kW的晶体管，频率响应为0到650MHz，封装在气腔陶瓷中。它的设计可以承受工业、科学和医学(ISM)应用中最恶劣的条件，并可用于驱动高功率CO2激光器、等离子体发生器和一些磁共振成像系统。ART器件适合这些应用，因为它们可以在65V下处理高达65:1的VSWR失配，这在CO2激光器和等离子体发生器工作时可能会遇到。

基于ART工艺开发的器件，阻抗高，所以在开发阶段更容易集成到产品中，保证量产时更高的产品一致性。这个过程也可以让开发出来的器件比LDMOS竞争产品更有效率。这样，最终应用运营的成本可以通过节省输入电能和减少加热来降低。此外，采用这种工艺的器件还可以实现更高的功率密度，即可以采用更小、成本更低的封装，从而减少其电路板的占用面积，进而降低系统成本。

ART器件还具有高击穿电压，这有助于确保它们在预期寿命内可靠、一致地工作。埃赋隆半导体还保证此类器件可供货15年，以便产品设计师进行长期规划。

用气腔陶瓷封装的ART2K0FE现在可以提供样品，可以选择不同频率的参考电路。埃赋隆半导体还提供低热阻包覆成型塑料版本ART2K0PE。两个版本预计在2020下半年量产。