Microchip宣布推出碳化硅（SiC）产品，助力打造可靠的高压电

微芯片的700伏SiC  MOSFET和700伏、1200伏SiC  肖特基势垒二晶体管(SBD)将被添加到公司现有的SIc功率模块产品组合中。超过35个新的分立器件产品已投入大规模生产，并通过了严格的耐用性测试。微芯片可以提供全面的开发服务、工具和参考设计支持。微芯片目前提供额定电压、额定电流和各种封装的SiC管芯、分立器件和功率模块。

微芯片分立器件与电源产品管理部高级副总裁Rich  Simoncic表示：“SiC技术的演进和应用已经开始加速。微芯片多年来一直在深入培育这个市场，并致力于满足全球市场对碳化硅产品日益增长的需求，保持其在世界上的领先地位。我们使用可靠的产品构建产品产品组合，并提供强大的基础设施和供应链支持，以满足客户实施和调整产品发展计划的需求。”

微芯片的碳化硅场效应晶体管和SBD可以以更高的频率和更高的效率完成开关操作，并通过各级耐用性测试，这对于保证产品的长期可靠性非常重要。电感开关(UIS)的耐久性试验(该试验旨在测量器件在雪崩条件下，即当电压峰值超过器件击穿电压时的退化和过早失效性能)表明，微芯片碳化硅SBD的性能比其他碳化硅二极管高约20%。此外，微芯片的碳化硅场效应晶体管在性能上也优于其对手产品，具有良好的栅氧化层保护能力和沟道完整性，即使经过10万次重复UIS(RUIS)测试，其参数仍能保持在正常水平。

微芯片是世界上唯一能够同时提供硅和SiC分立器件/模块解决方案的供应商之一。公司的产品(包括外部充电站、车内充电器、DC-DC转换器和电力系统/牵引控制解决方案)能够很好地满足电动汽车系统日益增长的需求。新的SiC器件将采用微芯片面向客户的产品淘汰机制，微芯片将根据客户需求产品决定是否继续生产这类器件。

微芯片将为这种SiC  产品组合提供一系列支持，如各种SiC  SPICE模块、SiC驱动板参考设计和一套功率因数校正(PFC)维也纳整流器参考设计等。微芯片的所有碳化硅产品和相关附件都已批量生产。此外，碳化硅MOSFET和碳化硅二极管还有各种管芯和封装方案，可供客户选择。