华虹半导体第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台 成功量产

华虹半导体一直深入参与嵌入式非易失性存储器技术领域。通过不断的技术创新，第三代90纳米嵌入式闪存技术平台的闪存单元尺寸比第二代技术缩小了近40%，创下了全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术最小尺寸的新纪录。Flash  IP具有更明显的面积优势，进一步缩小了整体芯片面积，从而在单个晶圆上获得更多的裸芯片。同时，掩膜层的数量进一步减少，有效缩短了薄膜流延的周期。可靠性指数继续保持高水平，达到100，000次擦除和25年的数据保留容量。近年来，华虹半导体在90纳米工艺节点成功推出三代闪存技术平台，在保持技术优势的同时，不断寻求性价比更高的解决方案。第三代工艺平台的大规模稳定量产，为电信卡、Ukey卡、交通卡等智能卡和安全芯片产品，微控制器(MCU)等多元化产品提供持续稳定的支持和解决方案。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然，博士表示：“华虹Semiconductor是嵌入式非易失性存储器技术的领导者，未来面对高密度智能卡和高端微控制器市场，将继续专注于R&D和200mm差异化技术的创新。同时，我们不断致力于在功耗和面积方面提供显著的优化，将现有的200mm到300mm的技术优势延伸，更好地服务于国内外半导体芯片设计公司，满足市场需求。”