泛林集团推出晶圆应力管理解决方案以支持3D NAND技术的持续

最近，世界领先的半导体制造设备和服务供应商泛林集团宣布了一项新的解决方案，帮助客户提高芯片存储密度，以满足人工智能和机器学习等应用的需求。泛林集团进一步扩大了压力管理产品产品组合，引进了背膜沉积设备VECTOR  DT和去除背膜和边缘膜的湿刻蚀设备EOS  GS。

高纵横比沉积和刻蚀工艺是实现3D  NAND技术可持续发展的关键因素。随着工艺层数的增加，累积的物理应力越来越大。如何控制由此引起的晶圆翘曲成为制造过程中的一大挑战。严重的晶圆翘曲会影响光学刻焦深，层间的对准，甚至导致图形结构的扭曲，从而降低产品的良率。为了提高整体良率，需要对整个制造过程中多个步骤的晶圆、芯片、图形层面的应力进行精心管理，甚至放弃一些可以提高产品性能的工艺步骤。

VECTOR  DT系统是泛林集团等离子体增强化学气相沉积(PEVD)产品系列的最新产品产品，旨在为3D  NAND制造中控制晶圆翘曲提供一种经济高效的解决方案。VECTOR  DT完全不接触晶圆正面，可以在晶圆背面沉积一层可调、高应力、高质量的薄膜，一步平整翘曲的晶圆，提高光刻效果，减少翘曲带来的诸多问题。VECTOR  DT从一开始就被广泛使用。随着主流3D  NAND  产品推进到96层以上，机器安装数量将继续增加。

除了沉积高应力薄膜，泛林集团还提供回刻蚀，技术，使客户可以根据工艺要求灵活调整3D  NAND制造过程中的晶圆应力。泛林集团的湿刻蚀产品EOS  GS具有业界领先的湿刻蚀均匀性，可以去除背面和边缘的薄膜，同时充分保护晶圆正面，从而形成对VECTOR  DT的有力补充。作为晶圆翘曲管理解决方案的一部分，泛林集团的EOS  GS也被全球存储芯片制造商广泛采用。