意法半导体提供先进的碳化硅功率电子器件，助力雷诺-日产-

雷诺-Nissan-三菱联盟计划使用新的碳化硅电源技术开发一种更高效、更紧凑的大功率汽车充电器，这将通过缩短充电时间和增加续航里程来进一步增强电动汽车的吸引力。作为雷诺-Nissan-三菱联盟的先进碳化硅技术合作伙伴，意法半导体将提供设计集成支持，帮助联盟最大限度地提高车载充电器的性能和可靠性。

意法半导体还将为雷诺-Nissan-三菱联盟提供充电器相关组件，包括标准硅器件。意法半导体含碳化硅的汽车充电器计划于2021年投入大规模生产。

“作为零排放电动汽车的先锋和全球领导者，我们的目标仍然是成为世界主流大众市场和最大的经济型电动汽车供应商，”联盟电动和混合动力系统设计副总裁菲利普舒尔茨(Philippe  Schulz)表示。“通过在OBC使用ST的SiC技术实现小尺寸、轻重量和高能效，再加上电池效率的提高，我们将能够缩短充电时间，延长电动汽车的续航里程，从而加快电动汽车的普及。”

意， 法半导体公司营销、通信和战略发展总裁马可卡西斯说：“碳化硅技术可以减少车辆对化石燃料的依赖，提高能源使用效率，并为世界环境保护做出贡献。ST成功开发了SiC的制造工艺，建立了符合工业标准的商用SiC  产品组合(包括汽车级产品)。在长期合作的基础上，我们正在与雷诺-Nissan-三菱联盟合作，以实现碳化硅给电动汽车带来的诸多优势。此外，合作项目还将提供性能优越、合理价格的高性能SiC芯片和系统，通过提高规模经济确保成功。”

在没有家用充电系统或超级充电桩的情况下，电动汽车需要使用车载充电器来处理标准的路边充电问题。充电时间取决于车载充电器的额定功率。如今，电动汽车车载充电器的额定功率在3kW至9kW之间。

作为世界领先的电动汽车品牌，雷诺-Nissan-三菱联盟为雷诺佐伊开发了一款22kW的汽车充电器，约一小时即可充满电。现在，通过升级汽车充电器，利用意法半导体的碳化硅功率半导体(MOSFET和整流器二极管)的出色能效和小尺寸，雷诺-Nissan-三菱联盟可以进一步降低充电器的尺寸、重量和成本，同时提高充电效率，使未来的型号对用户更具吸引力，更环保。全新紧凑型大功率汽车充电器，让设计师更自由地设计车辆外观，优化车辆车身结构、重量分布和驾驶性能。

碳化硅技术

SiC是一种成熟的功率半导体技术，可用于开发高效功率开关(MOSFET)和整流器(二极管)。产品的可靠性已经过实验验证，有可信的测试数据。从工程技术的角度来看，碳化硅是一种宽带隙(WBG)半导体材料。与传统硅基材料相比，碳化硅具有更高的开关频率和工作温度，更小的尺寸和形状因子。这些优势使芯片设计人员能够更好地控制器件特性，更好地平衡重要参数，如物理尺寸、MOSFET导通电阻(RDS(ON))、二极管直流电压(VF)、电容和栅极电荷等。与传统硅相比，宽带隙半导体可以承受更高的单位面积输入电压，这使得轻质元件非常耐用且节能。

除了汽车充电器等汽车应用外，意法半导体的碳化硅MOSFET和整流管还广泛应用于可再生能源、工业自动化、高压DC配电、数据中心电源等设备领域的功率调节和转换，以及能效最重要的智能照明系统。