英飞凌650 V CoolSiC MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能

“随着新产品的发布，英飞凌已经在600伏/650伏部分改进了其硅基、碳化硅和氮化镓功率半导体产品的组合，”英飞凌电源管理和多元化市场部门的高压转换业务高级总监斯特芬梅茨格说。“这凸显了我们在市场上的独特地位：英飞凌是市场上唯一能够提供涵盖硅、碳化硅和氮化镓等材料的全系列电源产品的制造商。而新酷讯呢？该系列是我们成为工业碳化硅场效应晶体管开关领域第一大供应商的有力支持。”

650 V  CoolSiC  MOSFET器件的额定值在27 m至107 m之间，可用于典型的TO-247 3引脚封装和TO-247 4引脚封装，开关损耗较低。以过去发布的所有CoolSiC？与金属氧化物半导体场效应晶体管产品相比，新的650伏系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术，通过充分发挥碳化硅强大的物理特性，该器件具有出色的可靠性、出色的开关损耗和传导损耗。此外，它们具有最高的跨导水平(增益)、4V阈值电压(Vth)和短路鲁棒性。总之，沟槽技术可以实现应用中的最低损耗和操作中的最佳可靠性，而不会有任何折衷。

650 V  CoolSiC与市面上其他硅基和碳化硅解决方案相比？MOSFET可以带来更吸引人的优势：更高的开关频率下更好的开关效率和出色的可靠性。由于超低温相关导通电阻(RDS(on))，这些器件具有出色的热性能。此外，它们还使用反向恢复电荷非常低的坚固体二极管：比最好的超结酷金属氧化物半导体场效应晶体管低80%。其换向鲁棒性使其易于实现98%的整体系统效率，如图腾柱功率因数校正(PFC)通过连续导通模式。

为了简化使用650 VCoolSiC  MOSFET的应用设计，并确保器件的高效运行，英飞凌还提供专用单通道和双通道电气隔离的爱塞德河栅极驱动集成电路。该解决方案(集成酷讯开关和专用栅极驱动集成电路)有助于降低系统成本和总拥有成本，提高能效。酷硅场效应晶体管能和其他英飞凌电子器件一起使用吗？栅极驱动系列集成电路的无缝合作。