东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET

2020-11-11 09:07:24

东芝电子元器件及存储器件有限公司(东芝)今天宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增80v n沟道功率MOSFET - TPH2R408QM和采用其最新一代工艺制造的TPN19008QM。新型MOSFET适用于数据中心和通信基站中使用的工业设备的开关电源。

新增加的产品包括表面贴装SOP Advance封装中的“TPH2R408QM”和TSON Advance封装中的“TPN19008QM”。产品今天开始出货。

与目前u-mos -h系列中的80V 产品相比，新的80V U-MOS X-H 产品由于采用了最新一代制造技术，漏源导通电阻降低了约40%。通过优化器件结构，进一步改善了漏源导通电阻和栅极电荷特性之间的平衡。因此，新的产品可以提供业界最低的功耗。

东芝正在扩展其降压型产品生产线，从而有助于降低设备功耗。

应用：

？开关电源(高效交流-DC变换器、DC-DC变换器等)。(

？电机控制设备(电机驱动等。(

特征：

？业界功耗最低(通过改善导通电阻和栅极充电特性之间的平衡[2])

？行业最低阻力[3]:

Rds(开)=2.43m(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)

Rds (on)=19m(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)

？高额定通道温度：Tch=175

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