富士通电子推出可在高温下稳定运行的新款2Mbit FRAM

2020-11-10 09:35:17

富士通电子元件(上海)有限公司近日宣布，推出全新的2Mbit FRAM，型号为MB85RS2MLY，可在125正常工作。该器件可以在低至1.7V至1.95V的电压下工作，并配有串行外设接口(SPI)。目前可以为客户提供测评样品，6月份量产。

这款新FRAM 产品是汽车电子控制单元的最佳选择，满足高端汽车市场对低功率电子设备的需求，如ADAS。

FRAM的读/写耐久性、写速度和功耗优于EEPROM和闪存。一些对传统非易失性存储器性能不满意的客户采用了我们的FRAM。

自2017年以来，富士通电子不断推出工作电压为3.3V或5 V的64Kbit~2Mbit汽车FRAM 产品，但随着高端汽车电子控制单元的推出，一些客户开始要求FRAM的工作电压低于1.8V，富士通电子最近推出了这款全新的FRAM，以满足这一市场需求。

在-40C至125C的温度范围内，MB85RS2MLY可实现1000万次读/写，适合一些需要实时数据记录的应用。例如，如果连续10年每天每0.1秒记录一次数据，写入次数将超过30亿次。此外，本次产品可靠性试验符合AEC-Q100一级标准，达到汽车级产品认证标准。因此，就数据写入的耐用性和可靠性而言，富士通电子的最新FRAM完全支持需要实时数据记录的应用，如ADAS。