Nexperia宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术

2020-11-09 10:00:00

2020年6月8日：半导体基础元器件生产领域的大容量生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压GaN场效应晶体管。新设备包括两个包，TO-247和Nexperia的独家CCPAK。它们都实现了更好的切换和导通性能，并且具有更好的稳定性。由于级联结构和器件参数的优化，Nexperia氮化镓场效应晶体管不需要复杂的驱动和控制，应用设计大大简化；它们也可以使用标准硅场效应晶体管驱动器轻松驱动。

新的氮化镓技术使用穿透外延层的通孔，减少了缺陷，并将芯片尺寸减小了约24%。TO-247封装的新器件的导通电阻RDS(on)降至仅41m(最大值，25时典型值为35m)，具有较高的栅极阈值电压和较低的反向导通电压。CCPAK封装的新器件进一步将导通电阻值降至39 m(最大值，25时典型值为33 m)。两种封装中的新器件都符合AEC-Q101标准，能够满足汽车应用的要求。

耐视氮化镓战略营销总监迪尔德乔杜里(Dilder Chowdhury)表示：“客户需要3000万至4000万的导通电阻？650伏高性价比高功率转换新设备。相关应用包括电动汽车车载充电器、高压DC-DC转换器和发动机牵引逆变器；以及1.5~5kW钛工业电源，如：机架式电信设备、5G设备、数据中心相关设备。Nexperia继续投资氮化镓开发，并利用新技术产品扩大其投资组合。首先，我们为电源模块制造商提供传统的TO-247封装器件和裸芯片，然后提供我们的高性能CCPAK芯片封装器件。”

在Nexperia的CCPAK贴片封装中，创新的铜夹封装技术用于替换内部封装引线。这可以减少寄生损耗，优化电气和散热性能，并提高可靠性。CCPAK封装的氮化镓器件有顶部或底部散热配置，这使得它们更加通用，有助于进一步改善散热。