英飞凌科技股份有限公司在其1200 V CoolSiC MOSFET模块系列中增加了一个62mm的行业标准模块封装产品。采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计和沟槽栅芯片技术,为250kW以上碳化硅的中功率应用打开了大门(硅IGBT技术处于62mm封装的功率密度极限)。在传统的62毫米IGBT模块的基础上,碳化硅的应用范围已经扩展到太阳能、服务器、储能、电动车充电桩、牵引、商用电磁炉和电力转换系统。
62mm模块配有英飞凌cool sic MOSFET芯片,可以实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和传导损耗可以最小化冷却装置的尺寸。当工作在高开关频率时,可以使用较小的磁性元件。借助英飞凌酷讯芯片技术,客户可以设计更小的逆变器,从而降低整体系统成本。
它采用62毫米标准基板和螺纹接口,具有高度稳健的结构设计,从而最大限度地优化和提高系统可用性,同时降低维护成本和停机损失。出色的温度循环能力和150C连续工作温度(Tvjop)带来出色的系统可靠性。其对称的内部设计使得上下开关具有相同的开关条件。可以安装可选的“预处理热界面材料”(TIM)配置,以进一步提高模块的热性能。