意法半导体推出世界首款驱动与GaN集成产品

氮化镓技术使电子设备能够处理更多的功率，同时设备本身变得更小、更轻、更节能。这些改进将改变智能手机的超快速充电器和无线充电器，个人电脑和游戏电脑的USB-PD紧凑型适配器，以及太阳能存储系统、不间断电源或高端OLED电视和云服务器等工业应用。

在当今的氮化镓市场上，通常采用分立功率晶体管和驱动集成电路的方案，这需要设计人员学会如何使它们共同工作，以达到最佳性能。意法半导体的MasterGaN方案规避了这一挑战，缩短了上市时间(651，275)，达到了预期的性能，同时使封装更小更简单，电路元件更少，系统可靠性更高。凭借氮化镓技术和意法半导体集成产品的优势，新的充电器和适配器比普通的硅基解决方案小80%，轻70%。

ST新闻稿2020年10月10日—— 意法半导体推出全球首个驱动器和GaN集成产品打造更小更快的充电器电源时代_清洁2.jpg

意法半导体执行副总裁兼模拟产品事业部总经理马特奥洛普雷斯特(Matteo  Lo  Presti)表示：“ST独特的MasterGaN  产品平台基于我们经过市场验证的专业知识和设计能力，集成了高压智能功率BCD工艺和氮化镓技术，可以加快发展节省空间、节能环保的产品。”

MasterGaN1是意法半导体新产品平台的第一个产品，集成了两个半桥GaN功率晶体管和高低端驱动芯片。

MasterGaN1现已量产，采用9mm  x  9mm  GQFN封装，厚度仅为1mm。

意法半导体还提供了产品评估板，帮助客户快速启动电源产品项目。

技术细节：

MasterGaN平台借用意法半导体公司的stdrive  600v  栅极驱动芯片和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。9mm  x  9mm  GQFN薄封装确保高功率密度，专为高电压应用而设计。高低压垫之间的爬电距离大于2mm。

产品系列有多种不同RDS(ON)的GaN晶体管，以引脚兼容半桥产品的形式提供，方便工程师成功升级现有系统，尽量少改动硬件。在高端高能效拓扑结构中，如带源箝位的反激式或正激式转换器、谐振转换器、无桥图腾柱PFC(功率因数校正器)，以及交流/DC和DC/DC转换器和DC/交流逆变器中使用的其他软开关和硬开关拓扑结构中，产品由于其低传导损耗和无体二极管恢复两个特性，可以提供出色的能效和更高的整体性能。

MasterGaN1有两个具有精确匹配时序参数的常关晶体管，最大额定电流为10A，导通电阻(RDS(ON))为150。逻辑输入引脚兼容3.3V至15V的信号，并配有综合保护功能，包括高低压侧UVLO欠压保护、互锁功能、特殊引脚关闭和过热保护。