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虽然HVLP 铜箔表面光滑,但现有的pcb生产工艺将导致铜箔,表面粗糙度增加,影响HVLP的铜箔效应。根据内层电路的制造工艺,内层需要经过干膜预处理和褐变处理。经过这两个过程,HVLP 铜箔的表面粗糙度Rz将从原来的1.5m增加到约3微米.为了解决这个问题,市场上引入了相应的低粗糙度工艺。与传统的棕榈化学溶液相比,该工艺不会轻微腐蚀HVLP 铜箔,的表面,但在清洗铜箔,表面后,会沉积一层锡,并用硅氧烷对表面进行改性。当硅氧烷与聚丙烯压制在一起时,可以起到桥接作用,在一定程度上增加了铜箔与聚丙烯之间的结合力。
将HVLP 铜箔的表面粗糙度与传统的褐变工艺进行了比较。现有的干膜预处理和褐变工艺会在一定程度上增加铜箔表面粗糙度;采用低粗糙度工艺后,铜箔的表面粗糙度与原铜箔基本一致
测试结果表明,采用低粗糙度工艺后,信号损耗可降低0.03-0.05分贝/英寸(12.5千兆赫)。客观地说,对极低损耗材料的改进范围并不显著,考虑到改进效果和成本投入,该工艺的性价比并不令人满意,因此该工艺并未被pcb制造商广泛采用。同时,对于HVLP铜来说,因为它仍然有一定的粗糙度,这个过程只能达到这个效果。对于未来的超低损耗材料,这种改进可能更有意义。此外,当铜箔核电厂正式投入商业使用,这一过程被认为发挥了更好的作用
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